Industrie du semiconducteur et des panneaux photovoltaïques : contraintes technologiques
Contrainte de pureté
- Nos procédés de purification permettent d’atteindre des niveaux d’impureté extrêmement faibles jusqu’à moins de 5 ppm.
- Nous détectons et contrôlons ces impuretés selon la méthode ETV-ICP qui permet un niveau de détection jusqu’à moins de 5 ppb.
Contrainte de propreté
- L’imprégnation VCI (imprégnation Carbone vitreux) a été développée pour réduire l’émission de particules et le dégazage sous vide des matériaux, notamment pour les applications semi-conducteurs.
Résistance aux réactifs des procédés plasmas
- Les produits de Mersen peuvent être revêtus par une couche mince de pyro-carbone, qui réduit au minimum la perméabilité du matériau aux produits réactifs, tout particulièrement pour les applications semi-conducteurs.
- Pour renforcer encore la résistance aux réactifs du procédé, Mersen propose une imprégnation résine dans la masse qui réduit les porosités.
Résistance à l’hydrogène au-delà de 900°C, aux réactifs de MOCVD, aux acides forts (HCl, HF)
- Mersen maîtrise le dépôt de couches minces de carbure de silicium qui offre une protection sans équivalent des équipements en graphite dans ses environnements particulièrement agressifs.